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8吋氮化鎵上矽芯片成功研發

2019-06-07 22:14:05来源:励志吧0次阅读

  照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商Bridgelux 公司,以及全球领导半导体制造商Toshiba公司,昨日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 寸氮化镓上矽(GaN on Silicon) 。该芯片采用350mA电流,电压小于 3.1V,仅1.1mm 大小的LED芯片,亮度可达 614mW。Bridgelux 与 Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议,接下来双方将进一步加快开发 LED 芯片的脚步,以因应全球对 LCD 面板和照明系统日渐增加的需求。

  Toshiba 亦对Bridgelux 进行股权投资,以期共同追求固态照明(Solid State Lighting,SSL)领域的技术创新;这项投资将进一步促进两家公司于 固态照明 领域的发展,并以Toshiba先进的矽加工和制造技术开发能力为基础,加速推动 Bridgelux 氮化镓上矽 LED 芯片技术的研究与开发。

  Bridgelux 執行長 Bill Watkins 表示: Toshiba 與 Bridgelux長期攜手開發技術,而股權投資將使兩家公司形成更密切的策略關系,以達到促進降低照明市場中固態照明解決方案成本的共同目標。

  Toshiba 副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁Makoto Hideshima表示: 我们很高兴能与 Bridgelux 共同进行开发活动,达到业界最佳效能的8 寸氮化镓上矽 。我们将持续追求最先进的技术,目标将技术进一步商品化。

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